众所周知，随着5G新网络时代的到来，各国在芯片领域的竞争也日益加剧。而近年来，为了摆脱对海外芯片的进口依赖，中国正力争实现“弯道超车”，各大芯片厂商也不断地在加大研发投入。而近日，又有中国科技企业在自主研发芯片一事上取得新进展。

而据媒体1月2日报道称，中国兆易创新科技公司透露，该公司最早将于2021年完成其首款动态存取存储芯片（DRAM）芯片的封装测试和客户验证，在测试成功将会大批量产。不仅如此，其他系列的DRAM产品也将在2025年之前陆续完成研发及量产。据悉，为了完成这一计划，该公司拟融资33.2亿元人民币用于DRAM芯片研发和产业化项目。中国芯片又添“主力军”，毫无疑问，将加快国产芯片自主研发进程。

目前，中国仍是全球最大的DRAM芯片市场。2018年，中国芯片进口额超过了3000亿美元，其中对于DRAM芯片的进口量就占到了两成以上。而在过去很长一段时间里，韩国三星、海力士和美国美光科技都在中国市场占据着主导地区。但如今，中国多个科技公司加入自主研发DRAM的行列中，相信中国很快就能打破海外垄断，减少海外芯片进口，实现自产自足。

而中国正在抓紧时间研发芯片的消息，已经传到了日本。去年底，全球第三大手机芯片设计企业——紫光集团公开消息称，该公司将任命坂本幸雄为日本分公司CEO。据悉，此人是专攻DRAM的尔必达公司的原社长，但该公司已在2012年破产。如今，坂本幸雄加入中国芯片公司，很显然是被中国芯片市场的庞大需求所吸引。

而就在中国大力研发芯片之际，一直以来在芯片领域领先的韩国却状况不断。去年7月，日本开始限制对韩国出口部分半导体原材料，这使得韩国的半导体出口大幅下滑。据最新数据显示，2019年韩国出口额较前一年减少10.3%，为2009年以来首次出现两位数的降幅。不仅如此，本周三，韩国科技巨头三星电子突然发生断电事故，导致其华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存暂停生产。这次事故可能会给三星造成数百万美元的损失。